2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20a-438-1~12] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 09:00 〜 12:15 438 (3Fラウンジ)

布村 正太(産総研)

10:45 〜 11:00

[20a-438-7] 大気圧μプラズマDLC成膜における基板温度、H2添加の効果

吉木 宏之1、佐藤 順樹1、丸藤 好恭1,2 (1.鶴岡高専、2.キャノン電子)

キーワード:大気圧マイクロプラズマ、ダイヤモンド状炭素膜、プラズマCVD

注射針電極をRF励起して大気圧非平衡プラズマ流を生成するペン型プラズマ源を用いて、これまでにHe/CH4プラズマでDLC局所成膜を試みて膜厚0.6µm、表面硬さ約11GPaを得た。さらに、H2添加と基板温度上昇により表面硬さ17GPa以上が得られる事を報告している。本研究では基板温度、H2添加の効果をラマン分光スペクトルのGバンドのピーク位置、バックグラウンド蛍光成分の分析等から明かにする。