[20a-CE-1~12] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[20a-CE-10] Hole mobility enhancement in Ultra-smooth UTB-GeOI

〇WENHSIN CHANG¹, Toshifumi Irisawa¹, Hiroyuki Ishii¹, Noriyuki Uchida¹, Tatsuro Maeda¹ (1.AIST)

Keywords:GeOI, MOSFET, mobility

薄膜 Ge チャネル構造(UTB-GeOIや Ge-Fin)は微細化には必須の構造である。しかしながら、絶縁体で挟まれた Ge チャ ネルは、界面の不安定性や膜厚ばらつきの ため、本来の性能が得られないのが現状で ある。本研究では、独自に開発した HELLO法とDozen Digital Etching (DDE)法を用い、 超平坦かつ膜厚ばらつきが極めて少ないGeOI 構造を作成した。その結果、膜厚揺らぎ散乱抑制効果などにより、従来の手法 と較べ正孔移動度を 2 倍程度に向上させる ことに成功した。