[20a-CE-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-CE-7] リン固相拡散ドーピングを導入したFinFETの寄生抵抗の評価

〇松川 貴¹、森 貴洋¹、澤田 佳宏²、木下 洋平²、柳 永勛¹、昌原 明植¹ (1.産総研、2.東京応化工業)

キーワード：FinFET、ドーピング、寄生抵抗

FinFETのスケーリングに伴うfin厚さの縮小とともに、finへのイオン注入によるダメージの影響が顕在化する。本稿では、低コストなダメージレスドーピング手法として、スピンコートされたリンドープシリカ(Phosphorus-doped silica: PDS)を用いた固相拡散ドーピングのFinFET作製工程への導入と、FinFET寄生抵抗に注目した電気特性解析結果について報告する。