[20a-PA1-1~11] 7 ビーム応用（ポスター）

[20a-PA1-8] Oshima-ECRイオン源におけるAr多価イオンの生成と今後の展開

〇(B)久保 蓮太郎¹、吉岡 陸¹、中村 翼¹、浅地 豊久²、古瀬 宗雄¹ (1.大島商船高専、2.富山高専)

キーワード：ECRイオン源、半導体製造

本研究はECRイオン源を用いて、多価イオン生成（効率化）の研究を行なっている。近年は半導体製造において、その基盤であるSiCへのアルミニウムのイオン注入技術が重要となる。研究成果としてアルミニウム4価のイオンとイオン化エネルギーの近いアルゴン7価のイオンを検出(Ar 7価;約124 eV，Al 4価;約120 eV)できた。そのイオンビーム電流量は約130 nAであった。これにより，ターゲットとしているアルミニウム4価の生成が可能となった。