[20a-PA5-1~14] 13.3 絶縁膜技術

[20a-PA5-7] 1050℃熱処理において生成したシリコン窒化膜の常磁性欠陥（２）

〇(M2)山口 真司¹、小林 清輝¹ (1.東海大院工)

キーワード：シリコン窒化膜