[20a-PA6-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-PA6-5] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるSi SJ-MOSFETの評価

〇(M1)増田 翔¹、内田 悠貴¹、土井 敦史¹、佐藤 宣夫¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大工)

キーワード：シリコン、走査型プローブ顕微鏡、走査型容量原子間力顕微鏡

シリコンパワーデバイスの高性能化は内部構造の最適化及びドーパント制御の向上により達成されてきた。しかし、高耐圧化及び大電流通電に対応したデバイスは小型化され、さらに内部構造が複雑化しており、ドーパント分布評価が重要である。そこで我々は、ナノスケール観測に強い走査型プローブ顕微鏡を用いて、Scanning Capacitance Force Microscope(SCFM)法によりSi SJ-MOSFET(Super Junction MOSFET)内部の不純物分布を評価したので報告する。