[20a-PA6-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-PA6-6] 多機能走査型プローブ顕微鏡によるトレンチSiC-MOSFETの評価

〇内田 悠貴¹、土井 敦史¹、中島 瑞貴¹、佐藤 宣夫¹、山本 秀和¹ (1.千葉工大工)

キーワード：SiC、走査型プローブ顕微鏡、走査型容量原子間力顕微鏡

高性能パワーデバイスとしてシリコンパワーデバイスの性能向上が、継続的かつ精力的に行われてきた。その結果、シリコンとして引き出せる限界に近づいている。そのため高性能パワーデバイスとして、近年シリコンカーバイド(SiC)が注目され、デバイスが製造されている。そこで我々は、様々なパワーデバイスの多機能走査型プローブ顕微鏡による評価を行っている。今回はトレンチSiC-MOSFETの評価を行ったので報告する。