[20a-PA6-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[20a-PA6-8] Characterization of dislocations in EFG β-Ga₂O₃ single crystal by synchrotron X-ray topography

〇Yongzhao Yao¹, Y. Sugawara¹, Y. Ishikawa¹, Y. Takahashi², K. Hirano³ (1.JFCC, 2.Nihon Univ., 3.KEK)

Keywords:Ga2O3, XRT, dislocation

次世代パワー半導体酸化ガリウム(β-Ga2O3)においては、単結晶基板やエピ膜の転位がどのようにパワー素子に悪影響を及ぼすのが不明であり、結晶成長や素子不良解析の観点から転位評価が重要な課題となっている。本報では、放射光X線トポグラフィ（XRT）を用いたβ-Ga2O3単結晶基板の転位評価を報告する。