[20a-PB4-1~8] 3.13 半導体光デバイス

[20a-PB4-3] ダブルキャップ法を用いたInAs量子ドット構造のPL特性の比較

〇(M1)矢田 拓夢¹、内田 和希¹、杉山 滉一¹、韓 旭¹、相川 政輝¹、早坂 夏樹¹、松浦 正樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：量子ドット、InAs、ダブルキャップ法

我々はMOVPE法を用いて，n-InP（100）基板上に量子ドット構造を導入したデバイスの作製を行ってきた．量子ドットを積層する際には，量子ドットを成長させてファーストキャップ層を数nm程度成長させ，成長中断を挟み，セカンドキャップ層を成長させる，ダブルキャップ法を取り入れている．今回，ダブルキャップ法を用いて作製した積層構造と用いずに作製した積層構造を作製し，光学特性の評価を行ったので報告する．