[20p-133-1~14] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-133-9] Influence of illumination during ITO sputtering on passivation performance at a-Si:H/c-Si interface

〇Masanori Senma¹, Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Indium tin oxide, sputtering damage, Light induced degradation

本研究では、glassおよびa-Si:H/glass基板を試料表面においてスパッタリング法によりITOを製膜し、疑似定常状態光電導度法による実効キャリアライフタイム測定を用いて光照射のパッシベーション性能への影響を評価した。DC電力制御により、低電力時では再終端可能な未接合手が多く存在し、a-Si:Hの膜厚制御により試料界面に到達する光強度が制限されることが分かった。製膜中の光照射がパッシベーション性能に影響することを見出した。