[20p-133-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-133-9] ITO製膜時の光照射がa-Si:H/c-Si界面におけるパッシベーション性能に及ぼす影響

〇扇間 政典¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：酸化インジウムスズ、スパッタダメージ、光吸収劣化

本研究では、glassおよびa-Si:H/glass基板を試料表面においてスパッタリング法によりITOを製膜し、疑似定常状態光電導度法による実効キャリアライフタイム測定を用いて光照射のパッシベーション性能への影響を評価した。DC電力制御により、低電力時では再終端可能な未接合手が多く存在し、a-Si:Hの膜厚制御により試料界面に到達する光強度が制限されることが分かった。製膜中の光照射がパッシベーション性能に影響することを見出した。