[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

[20p-141-11] HfO₂系強誘電体ゲートトランジスタの低電圧動作

〇右田 真司¹、太田 裕之¹、山田 浩之¹、渋谷 圭介¹、澤 彰仁¹、松川 貴¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大院工)

キーワード：強誘電体、トランジスタ、HfO2

FeFETの設計と動作を考える上で、絶縁膜層と強誘電体層の電荷量マッチングが重要なパラメータである。HfO₂系強誘電体薄膜をMIS構造に直接接合したMFIS構造では、強誘電体のマイナーループと呼ばれるごく一部の分極電荷しか使えずメモリウインドウも小さくなる。これに対して強誘電体のキャパシタ面積を小さく設計したMFMIS構造では、強誘電体の飽和特性を活用でき、大きなメモリウインドウが確保できる。本研究ではHfO₂系強誘電体を用いたFeFETにおいて、MFMIS構造の効果を低電圧動作の観点で調べたので報告する。