2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 強誘電HfO2技術の最新動向 ~プロセス・物性からデバイス・回路応用まで~

[20p-141-1~13] 強誘電HfO2技術の最新動向 ~プロセス・物性からデバイス・回路応用まで~

2018年9月20日(木) 13:30 〜 18:30 141 (141+142)

山田 智明(名大)、藤井 章輔(東芝メモリ)

14:30 〜 15:00

[20p-141-3] HfO2薄膜はなぜ強誘電体になるのだろうか?

鳥海 明1、右田 真司2 (1.東大院工、2.産総研)

キーワード:強誘電体、HfO2

HfO2薄膜は研究が開始されてから20年弱経過するが、当初まったく報告のなかった強誘電性が今では多くのところで報告されている。一旦、強誘電性が確認されてしまえばどこでもすぐに強誘電性は実現できる。特にドーピングの効果は絶大であるが、それぞれのドーパントの個性と共通性はどこにあるのだろうか。講演ではこれらについて議論する。