[20p-141-1~13] 強誘電HfO₂技術の最新動向　～プロセス・物性からデバイス・回路応用まで～

[20p-141-9] TCADが明らかにする強誘電体負性容量トランジスタの課題と展望

〇太田 裕之¹、池上 努¹、服部 淳一¹、浅井 栄大¹、福田 浩一¹、遠藤 和彦¹、右田 真司¹、鳥海 明² (1.産総研、2.東大工)

キーワード：強誘電体、負性容量、サブスレショルド係数

トランジスタのゲート絶縁膜として有名なHfO₂が強誘電体を示すことが報告されて以来、強誘電体をゲート絶縁膜として用いる強誘電体負性容量トランジスタ（NC-FET）が注目されている。現在、強誘電体負性容量(NC)の直接観察や、Si, Ge, MoS₂などの各種半導体等でのNC-FETの動作報告、さらには、FinFET量産プロセスを用いた実証等がなされている。その一方、NCついては、動作原理等に未解明の部分も多い。このような状況においては、technology computer aided design (TCAD)を用いたアプローチが重要である。本講演では、新原理デバイス開発をターゲットに開発した産総研内製のTCADツール(Impulse TCAD)をNC-FETに適用し、特性予測等を行ったので報告する。