The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Symposium (Oral)

Symposium » Renaissance and Novel Development of Poly Si TFT Technology

[20p-144-1~12] Renaissance and Novel Development of Poly Si TFT Technology

Thu. Sep 20, 2018 1:30 PM - 6:35 PM 144 (4Ｆ_Lobby)

Takashi Noguchi(Univ. of the Ryukyus), Tatsuya Okada(Univ. of the Ryukyus)

3:45 PM - 4:00 PM

[20p-144-7] Four-Terminal Low-Temperature Poly-Si TFT with High-k Gate Stack on Glass Substrate

〇Naoki Nishiguchi1, Akito Hara1 (1.Touhoku Gakuin Univ.)

Keywords:thin-film transistor, poly-Si, high-k

埋め込みメタルゲートを有する平面型4端子(4T)低温(LT)poly-Si TFTを自己整合プロセスによりガラス基板上に実現している。更なる高性能化のためには、high-kゲート絶縁膜の導入が不可欠である。本報告では、トップゲート(TG)にhigh-kゲート絶縁膜を導入した大粒径のラテラル結晶を有する4T LT poly-Si TFTの特性を報告する。