[20p-144-1~12] Poly-Si TFTのルネサンスと新展開

[20p-144-7] ガラス基板上の高誘電率ゲート絶縁膜を有する 4 端子低温 poly-Si TFT

〇西口 尚希¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、多結晶Si、高誘電率絶縁膜

埋め込みメタルゲートを有する平面型4端子(4T)低温(LT)poly-Si TFTを自己整合プロセスによりガラス基板上に実現している。更なる高性能化のためには、high-kゲート絶縁膜の導入が不可欠である。本報告では、トップゲート(TG)にhigh-kゲート絶縁膜を導入した大粒径のラテラル結晶を有する4T LT poly-Si TFTの特性を報告する。