[20p-211A-1~18] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[20p-211A-9] High density InGaN / GaN nanostructure fabricated by hydrogen environment anisotropic thermal etching (HEATE)

〇Yuuki Ooe¹, Yusuke Namae¹, Akihiro Matsuoka¹, Yusei Kawasaki¹, Daichi Ito¹, Yuuta Moriya¹, Akihiko Kikuchi^1,2 (1.Sophia Univ., 2.Sophia Nanotechnology Research Center)

Keywords:nanostructures, GaN, etching

位置と形状が制御された窒化物半導体ナノ構造は、光取り出し効率の向上や歪緩和効果、量子効果などによる光電子デバイスの高機能化、高性能化をもたらす技術として期待される。我々は低圧水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応に着目し、低損傷の極微細加工が可能な水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法の研究を行っている。本研究では厚さ10nmの極薄膜SiO₂を用いてHEATE法による極微細GaN系ナノ構造の高精度・高密度化について検討を行った。