[20p-221C-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[20p-221C-3] Investigation on Contact Characteristics of n-type 4H-SiC with Silicon-Cap-Annealing

〇(M1)Daichi Todo¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichiro Higashi¹ (1.Hiroshima Univ.)

Keywords:SiC, Ohmic Contact

近年、省エネルギー化が図れるシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスが注目を浴びており、プロセス技術の研究が盛んに行われている。我々はこれまでにn型4H-SiC 上にSi層を堆積させた後に加熱処理をするシリコンキャップアニール(SiCA)を行うことでSi層を除去した後も、オーミックコンタクトが得られることを報告している。本研究ではSiCAの温度依存性について調査した。