[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-221C-4] レーザードーピングを用いた4H-SiC:C面への低抵抗p型コンタクトの形成

〇(M2)岡本 健人¹、菊地 俊文¹、池田 晃裕²、池上 浩¹、浅野 種正¹ (1.九大シス情、2.崇城大)

キーワード：半導体、SiC、オーミックコンタクト