[20p-221C-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-221C-5] 表面積拡大による3C-SiC光電極の性能向上

〇(M2)安部 友裕¹、加藤 正史¹ (1.名工大)

キーワード：エッチング、助触媒、光電極

3C-SiCは化学的に安定で、可視光吸収可能な光電極材料として期待されている。我々は以前にPt助触媒を形成による3C-SiC光電極の性能向上を報告した。本研究では上記に加え、3C-SiCに対してのエッチング処理を施し、表面積を拡大することで、電解液との接触面積増大と助触媒の形成位置の増加を狙った。