[20p-223-1~11] アトミックレイヤープロセスの現状と展望

[20p-223-1] ALD/CVDプロセスの反応工学

〇霜垣 幸浩¹ (1.東大院工)

キーワード：原子層成長、化学気相成長、反応工学

ALD/CVDプロセスは，機能性薄膜作製に不可欠な要素技術となっている。スパッタリングなどのPVDプロセスと比較すると，高アスペクト比の細溝や細孔内に均一に製膜できることが特徴である。しかし，均一製膜と高速製膜は両立しないため，反応機構の詳細理解に基づく最適化が必要である。本講演では，ALD/CVDプロセスの反応機構解析とそれに基づく最適プロセス設計を，反応工学的観点からまとめる。