[20p-223-1~11] Current status and future prospect of atomic layer processes

△ [20p-223-10] In-situ analysis of chlorine adsorption behaviors on Ar ion-irradiated GaN surface

〇Masaki Hasegawa¹, Takayoshi Tsutsumi¹, Atsushi Tanide^1,2, Hiroki Kondo¹, Makoto Sekine¹, Kenji Ishikawa¹, Masaru Hori¹ (1.Nagoya Univ., 2.SCREEN Holdings Co., Ltd.)

Keywords:gallium nitride, etching

Cl原子吸着と低エネルギーイオン照射のステップを繰り返す、窒化ガリウム（GaN）のサイクルプロセス構築には各ステップでの現象の理解が求められる。我々はArイオン照射後のGaN表面へのCl吸着挙動をその場X線光電子分光法で調べた。Clラジカルは反応によりGa金属を揮発脱離させることを確認した。サイクルプロセスによるエッチング深さには、イオン照射によるGa金属リッチ層の形成とその揮発脱離量が大きく影響する。