[20p-234A-1~18] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20p-234A-15] Evaluation of the high mobility Oxide TFTs by low temperature anneal

〇Tsubasa Moritsuka¹, Sumiko Fujisaki¹, Hiroyuki Uchiyama² (1.Hitachi Ltd., 2.Hitachi Metals Ltd.)

Keywords:oxide semiconductor, UV anneal

近年a-Siの10倍の移動度をもつ酸化物半導体が注目され実用化が始まっている。
我々はZTO系酸化物と透明電極に使用されるIZOを積層チャネル構造により，高移動度TFTの実現を目指しているが，Vthの制御性に課題があった。そこで，低温かつ，アニール効果の高いUVアニールを検討した結果，Vth制御性と高移動度（30cm2/Vs）を両立し，かつ低温プロセスでの駆動を可能とした。