[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [20p-234A-16] NBIS測定によるAl₂O₃パッシベーション膜を用いたIn_1-xSi_xO_1-yC_y TFTの信頼性評価

〇(D)栗島 一徳^1,2,3、生田目 俊秀²、女屋 崇^1,2,3、塚越 一仁²、大井 暁彦²、池田 直樹²、長田 貴弘²、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.物材機構、3.学振DC)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、パッシベーション膜

原子層堆積(ALD)法で作製したAl₂O₃パッシベーション膜を用いたボトムゲート型Al₂O₃/In_1-xSi_xO_1-yC_y TFTを作製して、NBIS及びNBS測定によるAl₂O₃/In_1-xSi_xO_1-yC_y界面でトラップされている電子のイオン化放出、ホールトラップサイト及び吸着ガスによるホール生成について詳細に議論した結果を報告する。