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一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20p-234A-1~18] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2018年9月20日(木) 13:30 〜 18:30 234A (234-1)

東脇正高(情通機構)、山本哲也(高知工科大)、木村睦(龍谷大)

14:00 〜 14:15

[20p-234A-3] HVPE法によるc面サファイア基板上ε-酸化ガリウム成長における酸素分圧及び成長温度の影響

〇(DC)竹川直¹、佐藤万由子¹、村上尚¹、熊谷義直¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ハライド気相成長法、準安定相