[20p-331-1~13] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[20p-331-3] Characterization of a Shockley-Read-Hall lifetime in homoepitaxial p-GaN
based on the analysis of the recombination current in GaN p-n junction diodes

〇Takuya Maeda¹, Tetsuo Narita², Hiroyuki Ueda², Masakazu Kanechika², Tsutomu Uesugi², Tetsu Kachi³, Tsunenobu Kimoto¹, Masahiro Horita¹, Jun Suda^1,3,4 (1.Kyoto Univ., 2.TOYOTA Central R&D Labs., 3.Nagoya Univ. IMaSS, 4.Nagoya Univ.)

Keywords:Shockley-Read-Hall (SRH) lifetime, p-GaN, Recombination current

本研究では，p-n⁺接合ダイオードを作製し，その順方向I-V特性の解析により，ホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価を行った．実験値の解析からSRH寿命は91 psと求まった．これは，n-GaNにおける報告(12 ns)よりも桁違いに短く，p-GaNにおいては再結合中心密度が多い，あるいは，p-GaN中の再結合中心の捕獲断面積が大きいことを示唆していると考えられる．