[20p-331-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-331-3] GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析による
ホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価

〇前田 拓也¹、成田 哲生²、上田 博之²、兼近 将一²、上杉 勉²、加地 徹³、木本 恒暢¹、堀田 昌宏¹、須田 淳^1,3,4 (1.京大院工、2.豊田中央研究所、3.名大未来材料・システム研究所、4.名大院工)

キーワード：ショックレー・リード・ホール寿命、p-GaN、再結合電流

本研究では，p-n⁺接合ダイオードを作製し，その順方向I-V特性の解析により，ホモエピタキシャル成長p-GaNにおけるSRH寿命の評価を行った．実験値の解析からSRH寿命は91 psと求まった．これは，n-GaNにおける報告(12 ns)よりも桁違いに短く，p-GaNにおいては再結合中心密度が多い，あるいは，p-GaN中の再結合中心の捕獲断面積が大きいことを示唆していると考えられる．