2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 13:45 〜 19:15 438 (3Fラウンジ)

石川 健治(名大)、大村 光広(東芝メモリ)

16:45 〜 17:00

[20p-438-12] [講演奨励賞受賞記念講演] プラズマ誘起ダメージを受けた局所構造の第一原理計算による解析(2)

吉川 侑汰1、江利口 浩二1 (1.京大院工)

キーワード:プラズマダメージ、第⼀原理計算、状態密度

プラズマダメージによるデバイスの電気特性変化を予測するには,電子状態変化を詳細に扱うことが出来る第一原理計算が有効であると考えられる.またデバイスの低欠陥密度化に伴い,極微少量な欠陥の振る舞いを計算科学から明らかにする必要がある.これまで我々は,第一原理計算からプラズマダメージによる局所構造の電子状態変化を解析してきた.本報告では,計算セル中の欠陥密度による電子状態密度分布の違いについて議論する.