[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [20p-438-14] A Characterization Technique of Plasma Process-Induced Latent Defects in Si Substrate by Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy

〇Takashi Hamano¹, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:plasma, etching, defect

半導体デバイスの微細化に伴い、プラズマエッチング時にSi基板表面および内部に形成される欠陥構造がデバイスの挙動、信頼性に影響を及ぼしている。基板内部の潜在欠陥は物理的な深さ方向だけでなく、禁制帯中のエネルギー方向に対しても複雑な分布を有するため、その定量化は非常に難しい。本研究ではキャリアの非平衡特性を捉える手法である等温過渡容量法（ICTS）を適用し、入射イオンエネルギーに依存した過渡現象を観測した。