2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 13:45 〜 19:15 438 (3Fラウンジ)

石川 健治(名大)、大村 光広(東芝メモリ)

18:00 〜 18:15

[20p-438-17] アクティブスクリーンプラズマによる窒化とその評価2

〇(PC)市村 進1、高島 成剛1、水流 一平2、大久保 大地2、松尾 英明2、後藤 峰男2 (1.名古屋産業振興公社、2.中日本炉工業 株式会社)

キーワード:窒化、アクティブスクリーンプラズマ

アクティブスクリーンプラズマ窒化は、島根県産業技術 センター 朝比奈 等、関西大学 西本 等により、研究されてきた。一方、我々は、SKD61 10mm□×5mmt 1個の窒化を試み、窒化するに至った。今回、量産を意識し、大量処理方法を検証したので、報告する。