2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[20p-438-1~21] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年9月20日(木) 13:45 〜 19:15 438 (3Fラウンジ)

石川 健治(名大)、大村 光広(東芝メモリ)

14:00 〜 14:15

[20p-438-2] 【注目講演】高速熱サイクルALEのランプ加熱工程におけるSelf-limiting特性およびW/TiN選択性制御

篠田 和典1,3、小林 浩之1、三好 信哉2、川村 剛平2、伊澤 勝2、石川 健治3、堀 勝3 (1.日立研開、2.日立ハイテク、3.名大)

キーワード:エッチング、タングステン、窒化チタン

プラズマによる反応層形成と高速加熱を用いる原子層レベルエッチングにおいて,加熱工程におけるSelf-limiting性および選択性制御を検討した。WまたはTiNにプラズマを照射して反応層を形成した後,ランプ加熱するサイクルを10回繰り返した。その結果,WおよびTiNの1サイクル当たりエッチング量は,加熱時間に対してSelf-limiting性を示した。また,ランプ加熱時間を制御することにより,TiNに対するWの選択性を無限大から非選択までコントロールできた。