The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[20p-438-1~21] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Thu. Sep 20, 2018 1:45 PM - 7:15 PM 438 (3F_Lounge)

Kenji Ishikawa(Nagoya Univ.), Mitsuhiro Omura(Toshiba Memory)

6:45 PM - 7:00 PM

[20p-438-20] Surface Modification of Polytetrafluoroethylene by Atmosheric Pressure Plasma of Ar/Water Vapor Mixture Gas

〇(B)Masahiko Tani1, Hideki Yajima2, Hiroshi Furuta1, Akimitsu Hatta1 (1.Kochi Univ. Technol., 2.ORC Manufacturing)

Keywords:Atmosheric Pressure Plasma, Surface Modification, Polytetrafluoroethylene

PTFEは他の材料と接着して使用する場合、親水化する必要がある。親水化処理方法の大気圧プラズマ処理は、環境負荷が小さく、高速処理が期待できる。今回、Ar/水蒸気混合ガスを用いた大気圧プラズマでPTFEシートを処理することにより、親水性の向上が見られた。水蒸気から生じた水素ラジカルがPTFE表面のフッ素を引き抜き、そこに親水性の官能基が生成されたことにより親水化したと考えられる。今後は最適条件の探索と表面分析を進める。