[20p-PA5-1~11] 8.1 プラズマ生成・診断

[20p-PA5-5] 基板入射イオンのエネルギー分布測定用反射電界型エネルギー分析器の開発

〇松田 良信¹、石場 将希¹、古里 友宏¹、山下 敬彦¹ (1.長崎大院工)

キーワード：反射電界型エネルギー分析器、イオンエネルギー分布、マグネトロンスパッタリング

金属添加ZnOターゲットのスパッタ成膜における基板入射イオンエネルギー分布の把握を目的として、今回，マルチグリッド反射電界型エネルギー分析器（RFEA）を製作し，その基本動作特性を調査した．1Pa、10WのRFマグネトロン放電において，正イオンは、時間平均したプラズマの空間電位を反映して，浮遊電極に約20eVのイオンビームとして入射することを確認した．