[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[21a-135-1] 第一原理計算によるa-SiO₂中の点欠陥の荷電特性の検討

〇白石 悠人¹、山崎 翔太¹、中山 隆史¹ (1.千葉大理)

キーワード：点欠陥