[21a-135-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [21a-135-2] 単結晶Siの直接通電加熱による低温変形とその分子動力学計算

〇(M1)徳弘 快¹、阪本 大樹¹、清水 雅弘¹、下間 靖彦¹、三浦 清貴¹、八戸 啓² (1.京大院工、2.プラウド（株）)

キーワード：転写、分子動力学計算、半導体

我々は単結晶CZ-Siを直接通電加熱法により加圧・加熱処理することで、融点よりも約600℃低い850℃、保持時間10 minで塑性変形させることに成功した。本研究では、単結晶Siの変形を分子動力学計算で再現するため、まず電流は流さない状態で一軸圧縮を行った。また、幅2 µm程度の微細パターンをFIB装置により描画したモールドを作製し、直接通電加熱法により単結晶Si表面にパターンが転写できることを確認した。