[21a-145-1~9] 13.3 Insulator technology

[21a-145-3] Properties of a CVD-SiO₂ film at room temperature by active species from high purity ozone gas

〇Naoto Kameda¹, Toshinori Miura¹, Yoshiki Morikawa¹, Mitsuru Kekura¹, Ken Nakamura², Hidehiko Nonaka² (1.Meidensha corp., 2.AIST)

Keywords:ozone oxidation, CVD, SiO2 film

室温成膜技術は、有機ELディスプレイ等フレキシブルエレクトロニクス分野で用いられる耐熱性の低いフレキシブル基板上でのデバイス作製プロセスに必要である。今回、CVD成膜温度の低温化のため、高純度オゾンとエチレン（C₂H₄）ガスの反応による大量のOHラジカル生成技術[をCVDに適用し、室温でのSiO₂成膜を試みた。膜質について報告する。