[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21a-145-8] 硬X線光電子分光法(HAXPES)による強誘電体HfSiO MIM構造積層膜の化学結合状態解析

〇臼田 宏治¹、上牟田 雄一¹、株柳 翔一¹、吉木 昌彦²、富田 充裕¹、齋藤 真澄¹ (1.東芝メモリ新規メモリ開発部、2.東芝研開センター)

キーワード：HAXPES、強誘電性トンネル接合

HfO2系絶縁膜は強誘電性トンネル接合（FTJ）型メモリ向け材料として期待される。そのデバイス特性向上には実素子構造解析が重要であるが、厚い電極越しの非破壊解析は行い難い。今回、MIM（TiN/HfSiO/TiN）構造の上部TiN電極越しにHAXPES解析を実施、埋もれた強誘電体層の結合状態のプロセス依存性の直接測定や、XPSでは難しい内殻励起スペクトル選択による解析が可能である事を確認した。