[21a-145-1~9] 13.3 絶縁膜技術

[21a-145-9] Al/HfO₂/Si構造におけるフォーミングプロセスフリーの抵抗スイッチング現象

〇小林 滉平¹、吉田 晴彦¹、新船 幸二¹、佐藤 真一¹、堀田 育志¹ (1.兵庫県大)

キーワード：抵抗変化型メモリ、HfO2、MIS構造