[21a-146-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21a-146-2] Design of Transverse Quasi-Phase-Matched AlN Tapered Waveguide SHG Device
for Broadening Wavelength Acceptance Bandwidth

〇(M2)Shuhei Yamaguchi¹, Asahi Yamauchi¹, Masahiro Uemukai¹, Yusuke Hayashi², Hideto Miyake², Keishi Shiomi¹, Yasufumi Fujiwara¹, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 2.RIS, Mie Univ.)

Keywords:AlN, second harmonic generation device, transverse quasi-phase- matching

AlNは深紫外波長帯SHGデバイスへの応用が期待されている。我々は新規構造デバイスとして、AlNの極性を面内一斉に反転して積層した横型QPM構造SHGデバイスを提案してきたが、強励起により高いSHG変換効率が得られる一方で、波長許容幅が非常に狭いという欠点があった。そこで本研究では波長許容幅の拡大を目指し、テーパ導波路を用いた横型QPM SHGデバイスの設計を行った。