[21a-146-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[21a-146-2] 波長許容幅拡大を目指した横型擬似位相整合AlNテーパ導波路SHGデバイスの設計

〇(M2)山口 修平¹、山内 あさひ¹、上向井 正裕¹、林 侑介²、三宅 秀人²、塩見 圭史¹、藤原 康文¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.三重大地域イノベ)

キーワード：AlN、第二高調波発生デバイス、横型擬似位相整合

AlNは深紫外波長帯SHGデバイスへの応用が期待されている。我々は新規構造デバイスとして、AlNの極性を面内一斉に反転して積層した横型QPM構造SHGデバイスを提案してきたが、強励起により高いSHG変換効率が得られる一方で、波長許容幅が非常に狭いという欠点があった。そこで本研究では波長許容幅の拡大を目指し、テーパ導波路を用いた横型QPM SHGデバイスの設計を行った。