[21a-222-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[21a-222-8] 新規原料（GaCp*）による酸化ガリウム薄膜の原子層堆積

〇水谷 文一¹、東 慎太郎¹、井上 万里²、生田目 俊秀² (1.高純度化学研究所、2.NIMS)

キーワード：原子層堆積、酸化ガリウム

高純度酸化ガリウム薄膜形成用のALD原料として、ペンタメチルシクロペンタジエニルガリウムを合成し、ALD成膜ができることを確認した。