[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-10] ミニマルCVD装置におけるシリコンエピタキシャル製膜の高速化

〇高橋 俊範¹、室井 光子¹、松尾 美弥¹、羽深 等¹、池田 伸一^2,3、石田 夕起^2,3、原 史朗^2,3 (1.横国大院理工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

キーワード：ミニマル、製膜過程、温度

環境への影響を考慮しながら電子部品を無駄なく生産するため、小さなウエハを用いるミニマルCVD装置において、基板下側温度および原料ガス供給量が製膜速度に及ぼす効果を報告する。