[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-11] ミニマルシリコンCVDにおいてSiHCl₃濃度が輸送現象に与える効果

〇(M1)入倉 健太¹、羽深 等¹ (1.横国大院工)

キーワード：ミニマル、輸送現象、原料濃度

様々な半導体電子部品を無駄なく適切な量だけ生産するため、小さなシリコンウエハ(直径12.5 mm)を用いる「ミニマル・ファブ」が提案されている。ミニマル・ファブに用いられるCVD装置を開発するため、数値解析を用いて装置内の輸送現象を把握した。特に、本研究ではトリクロロシラン濃度がエピタキシャル成長に及ぼす影響を考察した。