[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-12] ミニマルファブ用ミラー磁場閉じ込めプラズマCVD装置によるシリコン窒化膜形成

〇後藤 哲也¹、小林 誠二²、薮田 勇気³、須川 成利¹、原 史朗^4,5 (1.東北大未来研、2.コーテック、3.誠南工業、4.産総研、5.ミニマルファブ)

キーワード：ミニマルファブシステム、シリコン窒化膜、プラズマCVD

ミニマルファブに対応する、永久磁石を用いたミラー磁場閉じ込め型小型ECRプラズマ源の開発を行っている。シリコン窒化膜形成に適用した結果、酸素混入が無く、かつ400℃成膜において、750℃の熱CVD膜と同等のフッ酸耐性を持つ膜を得ることができた。良好なカバレッジ性能も確認できた。