[21a-233-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[21a-233-9] イオンビームミキシングを併用したイオンビーム誘起結晶成長法による水素終端上非晶質Si層のエピタキシャル成長

〇谷地田 剛介¹、星野 靖¹、中田 穣治¹ (1.神奈川大院理)

キーワード：イオンビーム誘起結晶成長法、イオンビームミキシング、水素終端化Si