[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21a-331-1] Characterization of Breakdown Field in Fe-doped Semi-insulating GaN Substrates

〇(M1)Atsuki Aoai¹, Kosuke Suzuki¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Narihito Okada², Kazuyuki Tadatomo², Masaaki Kuzuhara¹ (1.Fukui Univ., 2.Yamaguchi Univ.)

Keywords:GaN, resistivity, breakdown field

AlGaN/GaN HEMT は高電圧動作が可能な次世代のパワーデバイスとして期待されている。我々は、半絶縁性GaN基板上の高耐圧AlGaN/GaN HEMTの耐圧が基板耐圧により決定されることを報告してきた。今回、Fe添加半絶縁性GaN基板の抵抗率に注目し、抵抗率と破壊耐圧の関係について調べた結果、Fe濃度と実効破壊電界及び抵抗率に相関を見出した。また、半絶縁性GaN基板の横方向の実効絶縁破壊電界として最高値2.4 MV/cmを得たので報告する。