[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-331-1] Fe添加した半絶縁性GaN基板の絶縁破壊電界評価

〇(M1)青合 充樹¹、鈴木 孝介¹、アスバル ジョエル¹、徳田 博邦¹、岡田 成仁²、只友 一行²、葛原 正明¹ (1.福井大学、2.山口大学)

キーワード：GaN、抵抗率、絶縁破壊電界

AlGaN/GaN HEMT は高電圧動作が可能な次世代のパワーデバイスとして期待されている。我々は、半絶縁性GaN基板上の高耐圧AlGaN/GaN HEMTの耐圧が基板耐圧により決定されることを報告してきた。今回、Fe添加半絶縁性GaN基板の抵抗率に注目し、抵抗率と破壊耐圧の関係について調べた結果、Fe濃度と実効破壊電界及び抵抗率に相関を見出した。また、半絶縁性GaN基板の横方向の実効絶縁破壊電界として最高値2.4 MV/cmを得たので報告する。