[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-331-2] 窒素極性GaN MIS-HEMTにおける逆バイアスアニールの効果

〇末光 哲也¹、Prasertsuk Kiattiwut²、谷川 智之²、木村 健司²、窪谷 茂幸²、松岡 隆志² (1.東北大集積セ、2.東北大金研)

キーワード：トランジスタ、窒化ガリウム

窒素極性GaN HEMTは、バックバリアの効果によりGa極性に比べて強い2次元電子ガスの閉じ込めが可能となる一方で、GaNチャネル層が最表面になるため、ゲートの漏れ電流を抑止するためにはMISゲート構造の導入が必要となる。今回我々は、Ga極性材料でMIS構造の安定化が報告されている逆バイアスアニールを窒素極性材料に初めて適用し、Ga極性との効果の現れ方に違いを確認したので報告する。