[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21a-331-3] Effects of H₂ ambient annealing on electrical properties of ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

〇(M1)Keita Furuoka¹, Kubo Toshiharu¹, Egawa Takashi¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.)

Keywords:GaN HEMT, H2 ambient annealing, ALD

MIS型デバイスの特性改善を目的とし、ゲート電極金属蒸着後のアニール（PMA)を水素雰囲気中で行い、ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性に及ぼすPMAの効果について評価を行った。
600℃で⊿V_thは0.3 Vまで下がり、I_gは2.7×10^-5 mA/mmを示した。また、水素によるPDAでは⊿V_thが段階的に減少していき700℃で0.5Vまで達するのに対して、PMAでは比較的低温の300、400℃で1 V付近まで減少しており、PDAとは異なる減少傾向を示した。