[21a-331-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-331-4] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるゲートメタル構成の検討(II)

〇山下 良美¹、吉田 智洋²、眞壁 勇夫²、渡邊 一世¹、井上 和孝²、笠松 章史¹ (1.情報通信研究機構、2.住電伝送デバイス研)

キーワード：GaN、HEMT、InAlN

GaN HEMTは高周波パワーデバイスとして期待されており、我々は薄膜のInAlNバリア層を用いたInAlN/AlN/GaN HEMT構造を検討してきた 。しかしショットキーゲートであるMES型では大きなゲートリーク電流(I_g)の問題がある。今回、Si基板上に作製したMES-HEMTのI_g低減を目的にゲートメタル構成と熱処理プロセスを検討したので報告する。