[21a-331-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [21a-331-6] Characterization of AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Gate Field Plate

〇(M1)Takashi Nishitani¹, Ryota Yamaguchi¹, Joel Asubar¹, Hirokuni Tokuda¹, Masaaki Hirokuni¹ (1.Univ. of Fukui)

Keywords:GaN, MOS, collapse

AlGaN/GaN HEMTは低損失、高耐圧特性を有するため次世代のパワー半導体として期待されている。しかし実用化に向けての課題にゲートリーク電流と電流コラプス現象がある。これらを抑制する手法にMOSゲート構造とフィールドプレート(FP)構造の導入が報告されている。本研究ではゲート電極にFP構造をもつAlGaN MOS-HEMTを試作し、その直流特性およびパルス特性のゲート酸化膜の膜厚依存性について検討したので報告する。